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在3C消費電子行業(yè),產(chǎn)品從出廠到用戶手中,可能經(jīng)歷運輸、使用中的意外跌落。據(jù)統(tǒng)計,超過30%的電子產(chǎn)品售后問題與物理沖擊相關。
跌落測試可模擬產(chǎn)品在運輸、使用中意外跌落的場景,可評估其結(jié)構(gòu)強度、內(nèi)部組件抗沖擊能力,指導產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,為產(chǎn)品材料的選取提供依據(jù),節(jié)約成本。
研究跌落碰撞過程中的變形,可通過研究碰撞過程中產(chǎn)品變形和應變數(shù)據(jù)實現(xiàn)。新拓三維XTDIC-SPARK三維高速測量系統(tǒng),通過直接控制高速攝像機采集跌落、沖擊等高速運動中的動態(tài)圖像,結(jié)合雙目立體視覺與數(shù)字圖像相關法,可以實現(xiàn)對電子產(chǎn)品跌落瞬態(tài)變形的動態(tài)監(jiān)測與定量分析。
高速DIC測量系統(tǒng)用于跌落測量難點
1、跌落角度的反轉(zhuǎn)、遮擋會造成散斑圖像弱相關,且會引起局部光強變化,導致較低的測量精度甚至匹配失敗。
2、跌落碰撞時產(chǎn)品翻轉(zhuǎn)會對散斑匹配造成影響,需要對相關計算方案和匹配方案進行改進。
跌落瞬態(tài)變形測量解決方案
算法計算優(yōu)化改進
1、采用帶兩個未知參數(shù)的最小平方距離函數(shù),減小翻轉(zhuǎn)等運動引起角度變化帶來的光強波動的影響;
2、雙三次樣條插值具有對亞像素位置處灰度較強的預測能力,在灰度迭代運算中使用雙三次插值,從而提高計算精度。
順序逐幀基準匹配
1、種子點匹配方法并進行適應性改進,初始未變形狀態(tài)散斑圖像優(yōu)先匹配,極大程度減小了單純以上一幀為參考計算帶來的累積誤差,保證了匹配精度;
2、對于未成功匹配的散斑進行順序逐幀基準匹配,能夠提高變形場的完整度。
高速DIC測量系統(tǒng)用于跌落碰撞的變形過程,主要分為試驗階段和計算階段。接下來,采用新拓三維XTDIC-SPARK三維高速測量系統(tǒng),對手機屏幕、手機殼、手機電池及平板電腦進行的跌落應變測試,分析產(chǎn)品跌落過程中其表面應變場和位移場的變化。
產(chǎn)品外表制作黑白相間散斑
手機配件跌落測試
XTDIC-SPARK三維高速測量系統(tǒng),搭配100mm鏡頭,測量幅面調(diào)試到200*150,高速相機調(diào)節(jié)焦距,標定完成后開始跌落實驗。
在離地1m距離處,將手機垂直跌落,使手機側(cè)邊或尖角部分跌落地面,并且散斑圖案始終對準兩個高速相機的角度,高速攝像機共拍攝多組手機殼、電池、手機屏幕跌落視頻圖像。
手機屏幕跌落測試分析
針對易損部件(電池、屏幕)單獨測試,定位設計薄弱環(huán)節(jié)。
DIC軟件計算數(shù)據(jù),輸出屏幕跌落瞬態(tài)全場位移及應變數(shù)據(jù)。通過分析應變局部化區(qū)域,關鍵點位移曲線及點應變曲線,定位玻璃受力關鍵區(qū)域和抗沖擊能力。
屏幕應力集中及關鍵點位移曲線及點應變曲線
手機中框跌落測試分析
模擬手機設備意外脫手跌落場景,驗證結(jié)構(gòu)強度與內(nèi)部組件抗沖擊能力。
DIC軟件分析手機中框應變集中區(qū)域,可清晰呈現(xiàn)手機中框結(jié)構(gòu)件、角、邊緣易因沖擊產(chǎn)生的形變;測試數(shù)據(jù)有助于分析中框加強筋設計,避免跌落時出現(xiàn)屏幕排線斷裂,導致攝像頭模組脫落。
手機中框應力集中點位移曲線及點應變曲線
手機電池跌落測試分析
手機硬殼電池殼體跌落時,殼體棱角處應變集中過大,會導致電解液泄漏。
DIC分析應變場顯示應力集中點,分析電池在沖擊載荷下的瞬態(tài)形變、局部應變集中及潛在失效風險(側(cè)面角形成一個小凹痕,且無法恢復到最初狀態(tài)),為電池結(jié)構(gòu)安全設計提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。
手機電池應力集中點位移曲線及點應變曲線
平板電腦跌落測試
XTDIC-SPARK三維高速測量系統(tǒng),搭配50MM鏡頭,測量幅面調(diào)試到400*300,高速相機調(diào)節(jié)焦距,標定完成后開始跌落實驗。
平板電腦跌落測試分析
測試平板電腦跌落,在工作臺上被物體以加速形態(tài)沖撞,檢驗產(chǎn)品抗意外沖擊能力。
DIC分析產(chǎn)品跌落時的棱角處受力變形,平板著地后反彈,形成應力波紋,將力傳輸處應力集中點,測試數(shù)據(jù)有助于評估平板電腦在跌落時所能承受的墜落高度及耐沖擊強度。
平板應力集中點位移曲線及點應變曲線
新拓三維XTDIC-SPARK三維高速測量系統(tǒng),非接觸、高精度、全場動態(tài)測量等優(yōu)勢,是一種測量3C電子跌落碰撞變形的有效方案,從位移場、應變集中到失效演化均可精準量化,有助于加速高可靠性電子設備研發(fā)進程。
1、結(jié)構(gòu)設計:加強角部緩沖(如TPU包邊)、優(yōu)化內(nèi)部固定點;
2、材料選擇:優(yōu)先使用吸能材料(如蜂窩鋁板、硅膠墊);
3、測試迭代:通過高速3D-DIC技術(shù)分析跌落薄弱點及失效模式,針對性改進。
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